一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用
Affilication of Author(s):物理科学与工程学院
Disigner of the Invention:唐慧丽,李志伟,刘波,徐军,罗平,吴锋,王庆国,张超逸
Type of Patent:发明
State of Patent:官方授权
Application Number:202110825757.4
Number of Inventors:8
Service Invention or Not:no
Application Date:2021-07-21
Authorization Date:2022-12-16
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